Samsung está logrando un gran avance en la tecnología MRAM que imita el cerebro.

La información de MRAM se almacena mediante magnetómetros magnéticos de película delgada. Cuando se invierten los grados, se invierten los bits de información. La información se lee por el cambio en la resistencia de la capa de contacto magnético. Cuando el magnetismo de la capa magnética está en estado antiparalelo, la resistencia del contacto magnético es alta, correspondiente al bit (1), mientras que cuando el sistema está en paralelo, la resistencia disminuye bruscamente, correspondiente al bit (1) (0 ).

Samsung ha sido uno de los pioneros en I+D de MRAM durante muchos años. Sin embargo, hasta la fecha, la aplicación práctica de la tecnología MRAM (especialmente a escala comercial) sigue siendo extremadamente limitada. La baja resistencia hace que la MRAM sea más energética que otras tecnologías de RAM. El fabricante surcoreano está trabajando para superar este obstáculo con una nueva iniciativa, tecnología de computación en memoria usando MRAM.

Los cálculos de memoria pueden entenderse como un nuevo modelo informático diseñado para realizar el almacenamiento y el cálculo de datos en redes de memoria. Esta es una de las tecnologías prometedoras para la próxima generación de chips semiconductores de inteligencia artificial de baja potencia.

El Dr. Seungchul Jung, uno de los ingenieros senior de Samsung, explicó los beneficios de MRAM y cómo la tecnología puede desempeñar un papel en el desarrollo de chips de IA de próxima generación:

"El proceso computacional en la memoria es esencialmente similar al cerebro en algunos aspectos. En el cerebro, por ejemplo, los procesos computacionales se realizan en redes de memoria biológica o sinapsis, puntos donde las células nerviosas (neuronas) entran en contacto entre sí. De hecho, aunque los procesos computacionales realizados por nuestra red MRAM actualmente tienen un propósito diferente al de los procesos computacionales realizados por el cerebro, tal red de almacenamiento de estado sólido puede usarse en el futuro. como una plataforma para simular la actividad cerebral mediante la simulación de conexiones sinápticas".

Figura 1 Avance de Samsung en la tecnología MRAM

Para lograr este avance, los investigadores de Samsung han desarrollado un chip de matriz MRAM que reemplaza la arquitectura de memoria actual con una "suma de corriente" con una arquitectura de memoria de memoria "resistiva". sum' (resistencia total), ayudando así a resolver el problema de baja resistencia de un dispositivo MRAM. En algunas pruebas de inteligencia computacional, el chip tiene un grado de precisión del 98 % en el reconocimiento de escritura a mano y un grado de precisión del 93 % en el reconocimiento facial en diferentes entornos.

Además, Samsung está particularmente interesado en mejorar la resistencia de MRAM. Superar esta dificultad abre un conjunto de beneficios potenciales que MRAM puede ofrecer, incluida una mayor velocidad, durabilidad y ligereza del hardware a granel. De esta forma, el sistema puede procesar grandes cantidades de datos almacenados en la propia red de memoria sin mover los datos.

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